IT之家 7 月 27 日消息，美光宣布其 HBM3 Gen 2 内存正在向客户提供样品，而且其 32Gb DDR5 颗粒将于 2024 年出货，使用基于 DUV 的 1β nm 工艺，单条内存容量届时可达 128GB。

据美光介绍，1β 技术可将能效提高约 15%，内存密度提升 35% 以上。业界有人分析，美光 1β 技术大约相当于 14-12nm 工艺。

IT之家注：Gb 即兆位（G bit），是 DRAM 密度单位，与 GB（G Byte）不同。一根内存条有多枚 DRAM 芯片，这些 DRAM 颗粒组合起来就是 Rank（内存区块），这里最大逻辑容量即 128GB。

美光尚未透露其 32Gb DRAM 的数据，但考虑到这些产品属于美光第三代 DDR5 技术，预计其速度相当快。

据介绍，这类 32Gb 产品对于数据中心级内存特别有优势，并且为 1TB DDR5 内存（使用 32 个 8-Hi 32Gb 芯片）打开了大门。不过目前来看美光并未急于求成，明年只会提供最高 128GB 的 DDR5 内存，但后续将推出 192GB 和 256GB DDR5 内存。

除此之外，美光周三发布的路线图重申了美光计划在 2024 年中期量产 32 GT/s 的 16/24GB GDDR7 芯片，以及 32/64GB 的 HBMNext 内存的计划，未来内存可提供 1.5TB / s 2+ TB / s 带宽。

目前，美光官网列出的 DDR5 SDRAM 产品都是 16Gb 和 24Gb 产品，包括 1Gb×16、2Gb×8、4Gb×4、3Gb×8 四种，已量产型号的规格均显示为 DDR5 4800。

值得一提的是，根据三星去年 10 月展示的 DRAM 路线图，其 32Gb DDR5 颗粒也将于 2024 年推出。

三星官网显示，其 DDR5 SDRAM 产品也都是 16Gb 型号，提供 2GB×8 和 1GB×16 两种规格，速率同样显示为 DDR5 4800。

SK 海力士官网 PPT 显示，该公司也是 16Gb 产品，包括 1Gbx16 和 2Gb×8 两种形式，容量从 8GB 到 32GB 不等，采用 4、8、16、10、20 枚 DRAM 芯片，规格均为 DDR5 4800。

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